Компьютер9.ру - микросхемы, микрочипы, история создания...

Первые микросхемы

Изобретению диодов, транзисторов, а позднее и интегральных микросхем, способствовало обнаружение таких явлений, как отсутствие электрического контакта и возникновение у контакта полярных свойств при соприкосновении 2-х металлов. Было установлено, что хорошей электропроводимости при небольшом электрическом напряжении мешают тонкие оксидные пленки на поверхности металлов.

Изучение этого явления и привело к созданию полупроводниковых приборов.

В середине прошлого столетия все радиодетали изготавливались в отдельных корпусах и занимали много места на платах. Два ученых, Джек Килби из Texas Instruments и основатель компании Fairchild Semiconductor Роберт Нойс, независимо друг от друга решили объединить детали на одном полупроводниковом кристалле.

Роберт Нойс выбрал для этого кристалл кремния, а Джек Килби отдал предпочтение германию. И в 1958 году оба ученых изобрели похожие модели первой интегральной микросхемы. А в 1959 году каждый ученый получил патент на свое изобретение. С этого момента началось соперничество двух компании, которое, к счастью, продолжалось не долго и закончилось миром - на производство чипов была получена совместная лицензия.

В 1961 году компания Fairchild Semiconductor Corporation начала выпуск первых интегральных микросхем. Новые микросхемы быстро вытеснили отдельные диоды и транзисторы из производства калькуляторов и компьютеров, позволив значительно уменьшить размеры выпускаемой техники и поднять производительность труда. В 1961 году коллективом Таганрогского радиотехнического института под руководством Л. Н. Колесова была создана первая советская интегральная микросхема.

Разработка первой советской полупроводниковой микросхемы велась с использованием планарной технологии, созданной НИИ-35 (позднее НИИ "Пульсар") в 1960 году. Первые отечественные интегральные микросхемы - это микросхемы с военной приемкой серии ТС-100 на кремниевой подложке. Микросхема объединяла 37 элементов-триггеров и являлась аналогом микросхемы серии SN-51 американской фирмы "Texas Instruments".

Образцы этих аналогов из США были использованы при проведении разработки. Сама разработка являлась военным заказом. Микросхемы предназначались для автономных высотомеров в системах наведения баллистических ракет. Разработка и организация опытного производства микросхем серии ТС-100, проводимая в НИИ-35 под руководством директора Трутко, велась в течение 3-х лет (1962-1965 гг.).

Два года потребовалось на освоение производства. И в 1967 году Фрязинский завод (директор Колмогоров) начал выпуск микросхем серии ТС-100 с военной приемкой.